华金证券-半导体设备系列报告之刻蚀设备：制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽-240924-81页

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证券研究报告
本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考
请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明
制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽
半导体行业深度报告
领先大市-A（维持）
华金证券电子团队一走进“芯”时代系列深度之八十八“刻蚀设备”
分析师：孙远峰 S0910522120001
分析师：王海维 S0910523020005
联系人：吴家欢 S0910123110007
2024年9月24日
——半导体设备系列报告之刻蚀设备
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核心观点
u受益制程微缩&3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展，刻蚀设备已跃居集成电
路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示，全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元，占晶圆制造设备总市场规模的22%。由于
刻蚀工艺复杂、技术壁垒高，全球刻蚀设备市场集中度高；华经产业研究院数据显示，2021年全球刻蚀设备CR3超90%。
uCCP受益3D发展趋势，制程微缩推动ICP需求增长。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，可分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和
电感性等离子体刻蚀（ICP）两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构，其需求主要来自3D NAND等3D结构发展的推动；
ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽，因此线宽持续减少是ICP需求主要推动力。中微公司和北方华创是国产刻蚀
设备龙头，分别在CCP和ICP领域占据领先地位。
u下游扩产趋势明确，器件结构多维度升级刺激需求。根据SEMI数据，中国大陆已连续四年成为全球最大半导体设备市场。
Gartner预计，2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座，位居全球第一。下游明确的扩产趋势，叠加半导体全产业链迫切
的国产化需求，国产刻蚀设备迎来发展良机。器件结构多维度升级同步刺激需求。1）3D NAND/DRAM：高深宽比结构制造常
采用CCP刻蚀设备。2）逻辑：GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀；通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为
我国突破光刻极限关键手段。3）互连：HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV；深孔刻蚀是TSV的关键工艺，
其中Bosch刻蚀是首选技术，通常选择ICP刻蚀设备。
u建议关注标的：泛林集团、东京电子、应用材料三家全球半导体设备头部企业均实现了刻蚀、薄膜沉积等多产品线的布局，因此
我们认为平台化建设走在前列的企业更具竞争优势。北方华创致力于打造半导体设备平台型企业，布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处
理四大应用领域，其中ICP突破12英寸各技术节点，CCP实现逻辑/存储/功率多关键制程覆盖。中微公司是国产刻蚀设备龙头，
CCP设备和ICP设备应用覆盖度分别达到94%和95%，同时布局薄膜沉积等其他设备，平台化建设持续推进。
u风险提示：宏观经济和行业波动风险，下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险，下游客户扩产不及预期
的风险，市场竞争加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险，研发方向存在偏差的风险等。
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请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明
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受益制程微缩&3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备
3D NAND：堆叠层数竞赛开启，高深宽比刻蚀/多堆栈堆叠技术齐发展
DRAM：制程迭代刻蚀难度显著提高，3D DRAM成未来发展趋势
逻辑：高选择SiGe刻蚀实现GAA生产，多重曝光技术突破光刻极限
TSV：TSV助力先进封装，刺激ICP刻蚀设备需求
建议关注标的
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风险提示
目录

标签： #半导体

摘要：

证券研究报告本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽半导体行业深度报告领先大市-A（维持）华金证券电子团队一走进“芯”时代系列深度之八十八“刻蚀设备”分析师：孙远峰S0910522120001分析师：王海维S0910523020005联系人：吴家欢S09101231100072024年9月24日——半导体设备系列报告之刻蚀设备2请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明核心观点u受益制程微缩&3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展，刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SE...

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