甬兴证券-存储芯片行业周度跟踪：大厂或提高NAND产量，美光HBM产能持续扩张
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电子
行业研究/行业周报
A
大厂或提高 NAND 产量，美光 HBM 产能持续扩张
——存储芯片周度跟踪（2024.06.17-2024.06.21）
◼ 核心观点
NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，三星、SK 海力士和 Kioxia
提高产量。根据 DRAMexchange，上周（0617-0621）NAND 颗粒 22
个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.61%，平均涨跌幅为
0.17%。其中 7个料号价格持平，8个料号价格上涨，7个料号价格下
跌。根据 CFM 闪存市场报道，2023 年大规模的生产削减部分导致
NAND 闪存价格上升。目前，三星电子、SK 海力士、铠侠和西部数
据，正在恢复全产能生产。
DRAM：颗粒价格小幅波动，三星和 SK 海力士将 3D DRAM 技术应
用到混合键合技术。根据 DRAMexchange， 上 周 （0617-0621）
DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.01%至0.13%，平均涨
跌幅为-0.94%。上周 1个料号呈上涨趋势，14 个料号呈下降趋势，3
个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，三星电子和 SK 海力士
正在将 3D DRAM 技术与先进的混合键合技术相结合，探索更深层次
的芯片堆叠和更紧密的连接方式，以提高存储芯片的性能，并在制造
过程中实现更高的生产效率。
HBM：美光全球扩张 HBM 内存产能以提升市场份额，三星将于
2024 年内推出 3D HBM 芯片封装服务。根据 CFM 闪存市场报道，在
全球 AI 技术热潮的推动下，美光科技正在积极扩大其 HBM 内存的全
球产能，为AI 和高性能计算领域提供更加强大的支持。三星首次在
公开活动中发布 HBM 芯片的 3D 封装技术。该技术将 HBM 芯片垂直
堆叠在 GPU 顶部，以进一步加速数据学习和推理处理。3D 封装不仅
无需硅中介层或位于芯片之间的薄基板，以使它们能够通信和协同工
作；而且降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片电信号的质量。
市场端：渠道和行业 SSD 价格保持稳定。上周（0617-0621）eMMC
价格下降 2.34%，UFS 价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，本周渠
道SSD 和内存价格持平不变。渠道市场小单询单增多、少量补货，
但短期需求依旧不明朗。贸易端部分渠道中低端资源供应减少，价格
出现小幅反弹；且品牌厂商恐慌杀价的现象有所缓解。行业市场方
面，部分工控行业 SSD 需求有所好转，现货供应端普遍持惜售态
度，本周行业 SSD 和内存价格趋于稳定。现货嵌入式方面，本周部
分低容量 eMMC 及LPDDR 价格小幅下调。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为
代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振 HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成
长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动
HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股
份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
◼ 风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
增持
(维持)
行业：
电子
日期：
yxzqdatemark
分析师：
陈宇哲
E-mail：
chenyuzhe@yongxings
ec.com
SAC编号：
S1760523050001
近一年行业与沪深 300 比较
资料来源：
Wind
，甬兴证券研究所
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率，NAND/DRAM 市场价小幅
波动》
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+8.7%，预期 2025HBM 生产量
翻倍》
——2024 年06 月03 日
-30%
-22%
-14%
-6%
2%
10%
06/23 09/23 11/23 01/24 04/24 06/24
电子
沪深300
2024年06月24日
行业周报
请务必阅读报告正文后各项声明 2
正文目录
1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3
2. 行业新闻 .................................................................................................... 4
3. 公司动态 .................................................................................................... 6
4. 公司公告 .................................................................................................... 7
5. 风险提示 .................................................................................................... 8
图目录
图1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3
图2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3
图3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3
图4: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3
图5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3
图6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3
表目录
表1: 存储行业本周重点公告（6.17-6.21）...................................................... 7
行业周报
请务必阅读报告正文后各项声明 3
1. 存储芯片周度价格跟踪
图1:NAND 中大容量现货价格（美元）
图2:NAND 中小容量现货价格（美元）
资料来源：
iFind
，甬兴证券研究所
资料来源：
iFind
，甬兴证券研究所
图3:NAND Wafer 中大容量现货价格（美元）
图4:NAND Wafer 中大容量现货价格（美元）
资料来源：
iFind
，甬兴证券研究所
资料来源：
iFind
，甬兴证券研究所
图5:DRAM 中大容量现货价格（美元）
图6:DRAM 中小容量现货价格（美元）
资料来源：
iFind
，甬兴证券研究所
资料来源：
iFind
，甬兴证券研究所
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现货平均价:Flash:MLC 256Gb 32GBx8
现货平均价:Flash:SLC 16Gb 2GBx8
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现货平均价:Flash:SLC 1Gb 128MBx8
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现货平均价:Wafer:1Tb 现货平均价:Wafer:512Gb TLC
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2.50 现货平均价:Wafer:256Gb TLC
现货平均价:Wafer:128Gb TLC
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现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(1Gx16)3200
现货平均价:DRAM:DDR5 16G(2Gx8)4800/5600
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现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz
现货平均价:DRAM:DDR4 4Gb(512Mx8)2400/2666
摘要：
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证券研究报告行业研究行业周报电子行业研究/行业周报A大厂或提高NAND产量，美光HBM产能持续扩张——存储芯片周度跟踪（2024.06.17-2024.06.21）◼核心观点NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星、SK海力士和Kioxia提高产量。根据DRAMexchange，上周（0617-0621）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.61%，平均涨跌幅为0.17%。其中7个料号价格持平，8个料号价格上涨，7个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，2023年大规模的生产削减部分导致NAND闪存价格上升。目前，三星电子、SK海力士、铠侠和西部数据，正在恢复全产...
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2024-10-05 161
作者：复利王子
分类：按报告类型
价格：免费
属性：10 页
大小：688.74KB
格式：PDF
时间：2024-07-02
